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高楠博士在TOP期刊《The Journal of Physical Chemistry C》发表最新研究成果

作者:电信学院       点击数:   更新时间:2021-09-14

电玩城app官网下载高楠老师在TOP期刊《The Journal of Physical Chemistry C》发表题为“First-Principles Study of the Atomic Structures and Catalytic Properties of Monolayer TaS2 with Intrinsic Defects”的研究论文。高楠老师为第一作者,电玩城游戏大厅app下载为第一单位。

实验制备过渡金属硫化物(TMD)材料过程中观测到缺陷的广泛存在,并且对材料本征的物化性能及器件应用有很大影响。因此,该论文从实际问题出发,研究了TMD材料中多种类型的缺陷的热动力学稳定性,电子性能的差异,并考虑缺陷对电化学催化的影响。研究结果表明催化活性的提升主要取决于不同缺陷构型的p或d带中心。该研究为实验制备TMD材料及缺陷应用提供了理论基础。

论文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpcc.1c01667。该研究工作得到了国家自然科学基金青年项目的资助。